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Zener Breakdown의 주요 원인은 전자의 Tunneling이다.
Tunneling이 일어나기 위해서는 d가 매주 좁아야 한다.
이 간격 d를 줄이기 위해서는 p-type과 n-type이 고농도로 도핑되어야 한다.
고농도의 도핑이 이루어진 접합이 역방향으로 바이어스된 경우 에너지 대역은 비교적 낮은 전압에서 서로 엇갈리게 된다.
P형쪽 가전자 대역에서 N형쪽 전도대역으로의 전자의 터널링은 N형 영역에서 P형 영역으로의 역전류를 구성하는데,
이것을 제너효과라고 한다.
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