이론/물리전자
Avalanche Breakdown
Avalanche Breakdown Avalanche Breakdown은 일반 PN접합 다이오드에 큰 역전압을 가했을 때 일어난다. 일반적인 다이오드는 약하게 도핑되어 넓은 공핍영역을 가진다. 따라서 본래 역전압에서는 전류가 흐를 수 없다. 하지만 너무 강한 역전압이 다이오드에 공급되면서 전자가 넓은 공핍영역(Depletion Region)을 넘어갈 수 있게 된 것이다. (N영역 -> P영역) 이 Avalanche Breakdown은 "눈사태처럼 전자가 기하급수적으로 불어나는 현상" 을 의미한다. 주요 원인은 "충격이온화 (Impact ionization)" 로 인한 것이다. 가전자에 강한 에너지가 공급되어 자유전자 하나가 생성된다. 이 자유전자는 다른 가전자에 부딪쳐 또 다른 자유전자를 만든다. 그렇게..
