이론/전자회로
[MOSFET]전계 효과 트랜지스터-2(VDS)
작은 VDS 전압을 인가할 때 VGS > Vt 일 때 채널의 전자들은 Drain으로 향하게 되고 전류(iD)는 전자의 흐름의 반대로 흐르게 됩니다. 이 때 전자의 속도는 이와 같습니다. 이때 iD의 식은 이렇게 표현할 수 있습니다. 여기서 CoxUn 은 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 입니다. 이 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터와 W/L의 곱은 MOSFET 트랜스컨덕턴스 파라미터로 표기됩니다. 위 그래프를 보면 iD는 VGS에 의해 제어되는 선형 저항처럼 동작을 합니다. 이 떄의 저항을 rDS로 표기하고 식은 아래와 같습니다. rDS는 VGS Vt를 기히고 VDS를 인가 했을 때 채널을 따라서 각 지점 사이의 전압이 달라집니다. Soure -> Drain을 따라 갔을 때 0V --> VDS로 증가합니다. 그러므..
