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우리는 앞에서 포화영역에서는 VDS를 증가시켜도 iD는 일정하게 유지한다는 것을 알아보았습니다.
하지만 실제로 그렇지 않습니다.
VDS가 증가하면 채널의 길이에 변화가 생깁니다.
위의 그림과 같이 VDS가 증가함에 따라 L의 길이는 감소하게 됩니다.
우리는 포화 영역에서 위의 식과 같이 전류 iD는 채널 길이 L에 반비례 한다는 것을 알고 있습니다.
즉 VDS가 Vov 이상으로 증가하게 되면 채널 길이 L은 감소하므로
최종적으로 iD는 증가하게 되는 것입니다.
이를 CLME(Channel Length Modulation Effect)라고 합니다.
CLME는 아래와 같은 관계를 가지게 되고
이에 따라 Drain 전류는 아래 식으로 표현할 수 있습니다.
이때 전류는 VDS의 증가에 따라 선형적으로 증가하므로 이는 저항으로 표현할 수 있습니다.
이는 Drain과 Source 사이의 전압의 증가에 따른 전류 증가의 비로 표현됩니다.
여기서 I'DS는 CLME를 고려하지 않은 전류입니다.
이를 다른 식으로 표현하면
이렇게 표현할 수 있습니다.
지금까지 NMOS에 대해서 표현한 수식들이고 PMOS에 대한 수식은 아래와 같습니다.
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