USB-C 커넥터 PIN MAP USB-C 커넥는 USB 2.0과 USB 3.1을 모두 지원한다. USB-C 커넥터의 PIN MAP을 보면 반대로 연결되었을 때도 사용이 가능하도록 되어 있다. 위 사진에서 보이듯이 Cable 안에는 PCB가 붙어 있다. 그리고 USB-C 커넥터를 삽입한다. Female 타입에는 모든 PIN이 할당되어 있지만 Male 타입에는 B6, B7번핀이 비어 있다. 그렇다면 장비의 PCB에는 어떻게 해야할까? USB-C Device PART USB-C 타입을 PCB에 삽입하려면 아래와 같은 부품을 사용해야 한다. 물론 Right Angle Type 외에 Straight Type도 있긴 하다. 이 부품은 Molex 사의 부품이다. https://www.digikey.kr/short/..
회로 시뮬레이션을 하다보면 주파수별로 회로의 출력을 보고 싶을 때가 있습니다. 즉 Bode Plot을 보고 Filter의 성능을 확인하고 싶은거죠. TINA TI에는 AC Analysis 기능을 제공합니다. 1. 회로 그리기 간단한 CR Filter를 그렸습니다. 전원은 무조건 Voltage Generator나 Current Generator로 해야합니다. 2. AC Analysis TINA에 있는 AC Analsis 기능을 사용합니다. Analysis > AC Analysis > AC Transfer Characteristic 을 클릭합니다. 원하는 주파수를 입력해줍니다. Number of points를 통해 얼마나 정확하게 분석할지 정할 수 있습니다. 짠! 주파수 별로 회로의 출력을 볼 수 있습니다...
코딩을 하다보면 파일을 여러 버전으로 관리하게 됩니다. 이때 이력관리가 안되면 이전 버전과의 차이점을 잊게되는데 코드를 하나씩 대조하기에 좋은 기능이 있습니다. 바로 Notepad에 Compare 기능입니다. 이 기능을 통해 코드의 서로 다른 부분을 1 대 1로 대조할 수 있습니다. ◎ Compare 기능 사용법 플러그인을 클릭합니다. 플러그인 - 플러그인 관리를 클릭합니다. 찾기에서 compare를 검색하고 아래 플러그인에서 Compare를 체크해줍니다. 그리고 오른쪽 위에 설치를 클릭하면 Notepad가 재시작 합니다. 이제 임의의 파일 2개를 준비해봤습니다. 예상대로면 3번째 줄에서 다른 부분임을 찾아내야 합니다. 플러그인에 들어가면 Compare라는 버튼이 생겼습니다. 여기서 Compare를 클릭..
가상머신용 Window ISO 파일 다운로드 방법에 대해 알려드리겠습니다. 우선 아래 링크를 통해 MS 홈페이지에 접속합니다. https://support.microsoft.com/ko-kr/windows/windows%EC%9A%A9-%EC%84%A4%EC%B9%98-%EB%AF%B8%EB%94%94%EC%96%B4-%EB%A7%8C%EB%93%A4%EA%B8%B0-99a58364-8c02-206f-aa6f-40c3b507420d Windows용 설치 미디어 만들기 - Microsoft 지원 구독 혜택을 살펴보고, 교육 과정을 찾아보고, 디바이스를 보호하는 방법 등을 알아봅니다. 커뮤니티를 통해 질문하고 답변하고, 피드백을 제공하고, 풍부한 지식을 갖춘 전문가의 의견을 들을 support.microso..
Hyper-V 창 조절 방법을 소개드립니다. Hyper - V를 사용할 때 이렇게 고정된 화면으로 설정된 경우 사용이 불편할 수 있습니다. 이 때 창 크기를 조절하기 위해 몇가지 설정만 하면 됩니다. Virtual Box의 경우 게스트 이미지를 삽입해야 하지만 Hyper- V는 손 쉽게 창 크기를 변경할 수 있습니다. 우선 열려있는 가상컴퓨터를 종료하고 Hyper-B 관리자에서 마우스 우클릭을 해줍니다. 그리고 Hyper-V 설정을 클릭 합니다. 고급 세션모드 정책에서 고급 세션모드 사용을 체크해주시고 고급 세션모드에서 고급 세션 모드 사용을 체크해줍니다. 다음엔 화면 크기를 전환할 가상컴퓨터를 마우스 우클릭합니다. 통합 서비스에서 게스트 서비스를 체크해주시고 적용을 클릭합니다. 가상컴퓨터를 실행하시면 ..
PSPICE로 커서를 사용하고 원하는 지점에 Mark를 넣는 법을 알려드리겠습니다. 회로 해석 후 보고서 쓸 때 유용하실거에요. 우선 결과 사진은 아래처럼 나온답니다. 1. 커서 사용법 우선 커서를 보이게 하려면 2가지 방법이 있는데요. 첫번째로 Trace -> Cursor -> Display 순으로 클릭하거나 두번째로는 위에 사진처럼 마우스 모양을 클릭하면 됩니다. 커서가 생기면 마우스 왼쪽버튼이나 오른쪽 버튼을 누른 채로 화면 좌우를 드래그 해보세요. 커서가 움직이는 것을 볼 수 있답니다. 그런데 여기서! 지금 사진 속에는 초록색 파형에만 커서가 형성되어 있는데 다른 파형에 커서를 설정하고 싶다면? 이렇게 원하는 파형의 이름 왼쪽 기호를 마우스로 클릭하시면 됩니다. 마우스 왼쪽, 오른쪽으로 원하는 커..
https://tech-factory.tistory.com/category/Altium 'Altium' 카테고리의 글 목록 tech-factory.tistory.com Altium에는 Project라는 것이 있다. 확장자명은 .PrjPCB다. 이 Project가 뭐냐면 일종의 마더보드, 물건을 담은 상자 등 하나의 집합 같은 것이다. 이 Project 파일 아래에는 회로도, PCB, 거버, BOM, Pick&Place..... 등등 PCB 설계부터 제조까지 필요한 파일들이 들어가는데 이 많은 파일들이 하나의 프로젝트라는 것을 알려주는 파일이 된다. 이게 왜 중요하냐! 우리는 이제 Tool(프로그램, 소프트웨어)을 다뤄야 하기 때문에 이 Tool 입장에서 생각해야한다. Tool 입장에서는 여러가지 파일을 ..
직렬과 병렬의 개념이 부족하다면 아래 링크 참고!! https://tech-factory.tistory.com/entry/%ED%9A%8C%EB%A1%9C%EC%9D%B4%EB%A1%A0-%EC%A7%81%EB%A0%AC%EA%B3%BC-%EB%B3%91%EB%A0%AC [회로이론] 전자회로 직렬과 병렬 구분하는 방법 오늘은 회로이론을 볼 때 가장 필요한 직렬과 병렬에 대해서 하고자 합니다. 지금까지 다른 분들에게 회로이론을 알려드릴 때 회로의 직렬과 병렬 구분하는 부분에서 실수를 하여 엉뚱한 답이 tech-factory.tistory.com KCL 이번엔 KCL에 대해서 정리해보겠습니다. 지난 KVL에 대해 정리할 때 얘기한대로 회로 해석을 할 때 이것 하나는 꼭 기억하시는 것이 좋습니다. 직렬은 전류..
지금까지 우리는 MOSFET의 Body를 source와 단락 시켰을 때의 경우만을 고려하였습니다. 하지만 실제 반도체를 설계할 때는 이 Body를 source가 아닌 전원 공급기에 접속되는 경우가 있습니다. 이때 source와 body 사이의 전압은 Vsb < Vs 가 되므로 이는 문턱전압 Vt에 영향을 줍니다. 아래는 이때의 문턱전압 Vt의 수식입니다. Vt0는 Vsb = 0일 때의 문턱 전압입니다. 감마(Gamma)는 공정파라미터로 아래와 같습니다. Body-effect parameter라고도 불립니다. PMOS의 경우 아래와 같습니다.
우리는 앞에서 포화영역에서는 VDS를 증가시켜도 iD는 일정하게 유지한다는 것을 알아보았습니다. 하지만 실제로 그렇지 않습니다. VDS가 증가하면 채널의 길이에 변화가 생깁니다. 위의 그림과 같이 VDS가 증가함에 따라 L의 길이는 감소하게 됩니다. 우리는 포화 영역에서 위의 식과 같이 전류 iD는 채널 길이 L에 반비례 한다는 것을 알고 있습니다. 즉 VDS가 Vov 이상으로 증가하게 되면 채널 길이 L은 감소하므로 최종적으로 iD는 증가하게 되는 것입니다. 이를 CLME(Channel Length Modulation Effect)라고 합니다. CLME는 아래와 같은 관계를 가지게 되고 이에 따라 Drain 전류는 아래 식으로 표현할 수 있습니다. 이때 전류는 VDS의 증가에 따라 선형적으로 증가하므로..
지금까지 정리한 MOSFET은 NMOS 일 때의 이론이었습니다. 이번엔 NMOS와 PMOS를 비교하여 그 차이를 알아 보겠습니다. 위 그림을 보다시피 PMOS는 n 타입 기판 위에 p타입의 Drain과 Source 핀을 형성합니다. 이를 통해 PMOS는 NMOS와 반대로 동작을 할 것이라는 것을 쉽게 예상할 수 있습니다. 아래 표를 통해 쉽게 이를 이해 할 수 있습니다.
작은 VDS 전압을 인가할 때 VGS > Vt 일 때 채널의 전자들은 Drain으로 향하게 되고 전류(iD)는 전자의 흐름의 반대로 흐르게 됩니다. 이 때 전자의 속도는 이와 같습니다. 이때 iD의 식은 이렇게 표현할 수 있습니다. 여기서 CoxUn 은 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 입니다. 이 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터와 W/L의 곱은 MOSFET 트랜스컨덕턴스 파라미터로 표기됩니다. 위 그래프를 보면 iD는 VGS에 의해 제어되는 선형 저항처럼 동작을 합니다. 이 떄의 저항을 rDS로 표기하고 식은 아래와 같습니다. rDS는 VGS Vt를 기히고 VDS를 인가 했을 때 채널을 따라서 각 지점 사이의 전압이 달라집니다. Soure -> Drain을 따라 갔을 때 0V --> VDS로 증가합니다. 그러므..
위 사진은 증가형 NMOS 트렌지스터의 물리적 구조 사진입니다. MOS 앞 글자에 N 또는 P 가 들어가게 되는데 이는 Drain과 Source 단자가 n영역 기판으로 구성되어 있음을 의미합니다. 이 Drain과 Source는 Body라는 기판 위에 형성되는데 이 때 Body는 반대로 p영역 기판으로 구성됩니다. Drain과 Source의 위쪽에는 이산화 실리콘층이 성장되어 있고 이 층은 Drain과 Source 영역 사이를 일부 덮고 있습니다. 이 부분을 Gate 단자라고 합니다. Gate 전압이 0V 일 때 Gate의 전압이 0V 일 때는 Drain과 Source 사이에 애노드 단자를 맞댄 다이오드가 생깁니다. 위 사진을 보시면 이해가 되실 겁니다. 따라서 VDS(Drain과 Source 사이의 전압..
이번엔 OPAMP 응용회로를 만들어보겠습니다. 반전증폭기와 비반전증폭기에 대한 이해가 부족하신 분은 아래 링크를 먼저 참고하시기 바랍니다. https://tech-factory.tistory.com/entry/%ED%9A%8C%EB%A1%9C%EC%9D%B4%EB%A1%A0-OPAMP%EC%97%B0%EC%82%B0%EC%A6%9D%ED%8F%AD%EA%B8%B0-%ED%95%B4%EC%84%9D [회로이론] OPAMP(연산증폭기) 해석 안녕하세요. 이번엔 연산증폭기 해석을 해보겠습니다. 저항만 하다가 OPAMP가 갑자기 튀어나오면 당황할 수 있는데요. 사실 회로이론에서는 OPAMP가 오히려 더 쉽습니다. 일단 OPAMP는 Nodal 해석을 tech-factory.tistory.com 문제에서 아래 수식..
안녕하세요. 이번엔 연산증폭기 해석을 해보겠습니다. 저항만 하다가 OPAMP가 갑자기 튀어나오면 당황할 수 있는데요. 사실 회로이론에서는 OPAMP가 오히려 더 쉽습니다. 일단 OPAMP는 Nodal 해석을 기본으로 하면 쉽게 해결 할 수 있습니다. 1. 반전증폭기 OPAMP하면 다들 아래 사진의 회로를 많이 보실겁니다. 우리는 이 OPAMP를 해석하기 위해 기본적으로 1가지 사실만 외우면 된다. OPAMP하면 Negative FeedBack, Positive FeedBack 등이 있지만, 그런건 다 전자회로적인 관점이고 회로이론의 관점에서는 Virtual Short(가상접지)만 아시면 됩니다. 위 회로에서는 OPAMP Input의 -단자와 +단자가 가상접지입니다. 이 외 모든 OPAMP회로에서도 -단자..
회로이론을 공부하면 초반에 KVL과 KCL을 만나게 된다. 처음엔 뭔가 이해가 될 듯 ~ 말 듯~ 할 것이다. 전압과 전류의 병렬, 직렬에 대한 특징을 이해하면 금방 할 수 있다. 직렬과 병렬의 개념이 부족하다면 아래 링크 참고!! https://tech-factory.tistory.com/entry/%ED%9A%8C%EB%A1%9C%EC%9D%B4%EB%A1%A0-%EC%A7%81%EB%A0%AC%EA%B3%BC-%EB%B3%91%EB%A0%AC [회로이론] 전자회로 직렬과 병렬 구분하는 방법 오늘은 회로이론을 볼 때 가장 필요한 직렬과 병렬에 대해서 하고자 합니다. 지금까지 다른 분들에게 회로이론을 알려드릴 때 회로의 직렬과 병렬 구분하는 부분에서 실수를 하여 엉뚱한 답이 tech-factory.ti..
자 이제 난잡한 회로의 저항을 구해보자. 회로의 병렬과 직렬일 때 저항값을 구하는 것을 먼저 익히고 오는 것을 추천합니다. 회로에 익숙하지 않은 분들은 일단 난감하다. 심히 난해하다. 그래도 당황하지 말고 차근차근 접근해보자. 일단 저항을 구하기 위해서는 화살표 부분부터 보면 알 수 없다. 회로에 익숙하지 않다면 쪼개서 보면된다. 가장 반대쪽 R9와 R11을 보면 양쪽이 연결된 걸 볼 수 있다. 병렬이다. 즉 R9 // R11 = 10옴이 된다. 자 R9와 R11을 해치워서 R12를 만들었다. 그럼 R8, R12, R10이 보일 것이다. 딱 보고 느낄 수 있을 것이다. 직렬이다. R8 + R12 + R10 = 50옴 인 것을 알 수 있다. 자 저항 R8, R9, R10, R11을 해치우고 가장 오른쪽을 ..
오늘은 회로이론을 볼 때 가장 필요한 직렬과 병렬에 대해서 하고자 합니다. 지금까지 다른 분들에게 회로이론을 알려드릴 때 회로의 직렬과 병렬 구분하는 부분에서 실수를 하여 엉뚱한 답이 많이 나온 것을 많이 봤습니다. 당연한 현상입니다. 회로에 익숙하지 않으면 충분히 있을 수 있어서 초반에 개념을 확실히 짚고 넘어가야 응용할 수 있습니다. 1. 직렬 아래 회로를 보면 저항들은 직렬로 배치되어 있다. 일반적인 회로이론에서 다루는 저항은 부품의 다리가 2개가 있다. 부품의 다리 양쪽을 각각 1번, 2번이라고 치면(이건 임의로 정하는 겁니다.) 지금의 회로는 R1의 2번과 R2의 1번이 연결되어있다. 각각의 다리를 보면 (R1의 2번 - R2의 1번), (R2의 2번 - R3의 1번) 으로 연결된다. R1과 R..
이번엔 Capacitor의 DC, AC 특성을 알아보겠다. Capacitor의 전압, 전류 관계식 식만보고 알아보자면 첫번째 식. Capacitor에 흐르는 전류은 걸리는 전압의 미분과 곱한 값이다. 두번째 식. Capacitor에 걸리는 전압은 흐르는 전류에 비해 위상이 90도 뒤진다.(허수 j로 인해) 그렇다면 이제 시뮬레이션을 통해 알아보겠다. DC해석 DC 5V를 입력했다. 그 결과 전류는 0A가 나온다. Inductor일 때와 마찬가지로 이번엔 전압이 5V 상수이므로 미분하면 0 따라서 0 x 5 x 10^-6 = 0 A이다. AC해석 DC 전압 5sin(62.8t)V를 입력하였다. 전류미터의 전류와 전압미터의 전압을 비교하니 전류가 90도 앞선 값이 나온다. 수식 또한 같은 값이 나온다. 이번..
